Тесты по микроэлектронике

4.7. Тестовые задания

№ 1

Фермионы – это…

А) атомы химического элемента фермия Fm (с порядковым номером 100);

B) частицы с целым спином;

C) частицы с полуцелым спином;

D) частицы, подчиняющиеся статистике Ферми-Дирака.

№ 2

Бозоны – это…

A) частицы, подчиняющиеся статистике Бозе-Эйнштейна;

B) атомы химического элемента эйнштейния Es (с порядковым номером

99);

C) частицы с целым спином;

D) частицы с полуцелым спином.

№ 3

Химический потенциал – это…

A) скорость протекания химической реакции;

B) производная энергии системы по числу частиц;

C) электростатический потенциал, создаваемый атомом химического

элемента.

№ 4

В каждом квантовом состоянии может находиться фермионов:

A) один;

B) не более одного;

C) не более двух;

D) любое количество.

№ 5

В каждом квантовом состоянии может находиться бозонов:

A) один;

B) не более одного;

C) не более двух;

D) любое количество.

№ 6

Если увеличить температуру идеального квантового ферми-газа, то его энергия Ферми …

A) увеличится;

B) уменьшится;

C) не изменяется.

15№ 7

Если увеличить температуру идеального квантового ферми-газа, то его

энергия Ферми …

A) увеличится;

B) уменьшится;

C) не изменяется.

№ 8

Распределение Больцмана является предельным случаем распределений…

A) Ферми-Дирака при высокой температуре;

B) Бозе-Эйнштейна при низкой й температуре;

C) Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна, когда среднее число заполнения

состояний много меньше единицы.

№ 9

При образовании кристалла атомные уровни энергии…

A) не изменяются;

B) смещаются;

C) смещаются и расщепляются в зоны;

D) смещаются и расщепляются в зоны, ширина которых увеличивается с

уменьшением модуля энергии электронов.

№ 10

Валентная зона это…

A) самая верхняя полностью заполненная энергетическая зона;

B) самая нижняя полностью заполненная энергетическая зона;

C) самая верхняя полностью свободная энергетическая зона;

D) самая нижняя полностью свободная энергетическая зона.

№ 11

Зона проводимости это…

A) самая верхняя полностью заполненная энергетическая зона;

B) самая нижняя полностью заполненная энергетическая зона;

C) самая верхняя полностью свободная энергетическая зона;

D) самая нижняя полностью свободная энергетическая зона.

№ 12

Расставьте кристаллы в порядке возрастания ширины запрещенной зоны:

A) полупроводники;- 1

B) металлы;- 3

C) диэлектрики.- 2

№ 13

Расставьте типы связи атомов в кристаллах в порядке возрастания энергии связи:

A) металлическая; — 3

B) ионная; — 4

C) ковалентная; — 5

D) Ван-дер-Ваальса; — 1

E) водородная. — 2

№ 14

16Расставьте типы кристаллических структур в порядке возрастания числа

атомов на одну элементарную ячейку:

A) гранецентрированная кубическая; — 2

B) стрктура алмаза; — 4

C) простая кубическая; — 1

D) объемоцентрированная кубическая. — 3

№ 15

Фононы это…

A) кванты звуковых колебаний кристаллов;

B) кванты электромагнитного поля;

C) кванты поляризационных колебаний плотности электрического заряда.

№ 16

Дислокации это…

A) пара из вакансии и расположенного вблизи междоузельного атома;

B) группа из близко расположенных точечных дефектов;

C) охватывающее много атомов искажение структуры кристалла вблизи

некоторой линии.

№ 17

Экситоны это…

A) связанные системы из пары электрон-дырка;

B) связанные системы из пары электрон-фонон;

C) кванты поляризационных колебаний плотности электрического заряда.

№ 18

После отрыва слабо связанного электрона из донорного примесного атома образуется…

A) дырка;

B) положительный ион;

C) отрицательный ион.

№ 19

После присоединения электрона к акцепторному примесному атому образуется…

A) пара электрон-дырка;

B) положительный ион;

C) отрицательный ион.

№ 20

Участки ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеют…

A) стабилитрон;

B) туннельный диод;

C) арсенид галлия;

D) полевой транзистор.

№ 21

Полевой транзистор применяется …

A) для генерации высокочастотных колебаний;

B) в логических схемах;

C) в схемах твердотельной памяти;

D) для усиления сигналов.

№ 22

Биполярный транзистор применяется …

A) для генерации высокочастотных колебаний;

B) в логических схемах;

C) в схемах твердотельной памяти;

D) для усиления сигналов.

№ 23

Испускание света в светодиодах и полупроводниковых лазерах

происходит…

A) при прямом напряжении из области p-n перехода;

B) при пробое и обратном напряжении из области p-n перехода;

C) из области p-типа при любой полярности напряжения;

D) из областей p-типа и n-типа при прямом напряжении.