| Классификация интегральных схем

Классификация интегральных схем

По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делят на три группы : полупроводниковые, пленочные и гибридные.

Классификация ИС по уровням интеграции.

Уровень интеграции	Число элементов в одной микросхеме
Цифровые на МДП-транзисторах	Цифровые на биполярных транзисторах	Аналоговые микросхемы
МИС	≤100	≤100	≤30
СИС	>100 ≤1000	>100≤500	>30≤100
БИС	>1000≤10000	>500≤2000	>100≤300
СБИС	>10000	>2000	>300

Диффузионные конденсаторы (ДК)

Варианты формирования интегральных конденсаторов на основе переходов.

С1 – коллектор – подложка; С2 – база коллектор; С3 – эмиттер-база.

МДП – конденсаторы.

Тонкопленочные МДП-конденсаторы

Функционально-интегрированные элементы БИС.

Конструктивно-технологические варианты изоляции

элементов микросхем друг от друга

Изоляция обратно-смещенными — переходами.

Изоляция диэлектриком

Комбинированная изоляция

Параметры транзисторов с изоляцией — переходами и комбинированной.

параметр	Планарно-эпитаксиальный транзистор с — переходом	Транзистор с комбинированной изоляцией и диэлектр. стенками
Площадь, мкм2	1500	500
С база-эмиттер, пФ	0,10	0,07
С база-коллектор, пФ	0,12	0,05
С коллектор-подложка, пФ	0,52	0,13
Последовательное сопротивление базы, Ом	250	800
, Ом	6	9
, Ом	40	20
Предельная частота , гГц	1,0	3…5

Варианты конструкций элементов БИС и СБИС

с применением поликристаллического кремния

Резисторы на основе

Контакты к кремнию.

Конструктивно-технологические особенности и варианты

интегральных биполярных транзисторов, выполненных

по планарно-эпитаксиальной технологии.

Транзисторы типа

;

Величину можно записать в следующем виде:

: , где — время жизни неосновных носителей в базовой

Коэффициент усиления В уменьшается с понижением температуры. Это связано с уменьшением времени жизни неосновных носителей

(для )

(максимальная частота генерации, при которой усиление по мощности падает до единицы) = , где —

Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ)

Многоколлекторные транзисторы (МКТ)

Транзисторы типа

Составные транзисторы

Конструкции интегральных диодов

Таблица параметров интегральных диодов

Параметры

Вариант включения

бк-э

бэ-к

Наташа

Автор

Наташа — контент-маркетолог и блогер, но все это не мешает ей оставаться адекватным человеком. Верит во все цвета радуги и не верит в теорию всемирного заговора. Увлекается «нефрохиромантией» и тайно мечтает воссоздать дома Александрийскую библиотеку.