ВУЗы по физике Готовые работы по физике Как писать работы по физике Примеры решения задач по физике Решить задачу по физике онлайн

Экспериментальные данные определения вах диода


Таблица 4. Экспериментальные данные определения ВАХ диода

Прямая ветвь, рис.5

Обратная ветвь, рис.6

Прямой ток, Iпр, мА

Прямое напряжение, Uпр, В

Обратный ток, Iобр, мкА

Обратное напряжение, Uобр, В

Для экспериментального определения обратной ветви ВАХ собрать схему по рис. 6 на которой изменена полярность подключения диода, а резистор Rн остается закороченным. Переключить пределы измерения мультиметров установить на 2 мА и 20 В.

Рисунок 6. Определение обратной ветви ВАХ диода

Подать на клеммы «+,-» напряжение 12 В. Уменьшая сопротивлением RP1 напряжение Uвх до нуля определить по показаниям приборов три точки обратной ветви ВАХ. Результаты занести в таблицу 4.

4.2.  Исследование стабилитрона

4.2.1.  Собрать цепь по рисунку 7. Увеличивая резистором RP1 входное напряжение Uвх от 0 до 12 В, измерить ток 1ст и напряжение Uст =Uн стабилитрона в нескольких точках с помощью мультиметров и результаты занести в табл.5. Построить график зависимости выходного напряжения UCT от тока Iст.

Рисунок 7.

Таблица 5.

Uст= Uн, В

1ст, мА

4.2.2.  Собрать цепь по рис. 8. Установив величину входного напряжения 12 В, изменяя величину тока нагрузки с помощью потенциометра Rн, измерить величину выходного напряжения Uн и тока нагрузки Iн. Результаты занести в табл. 6. Построить график их зависимости.

Рисунок 8.

Таблица 6.

Iн, мА

Uн, В

4.3.  Исследование влияния величины и полярности напряжения на светоизлучающем диоде на световую эмиссию.

Собрать схему по рис.9. В качестве измерительных приборов использовать мультиметры с пределами измерения 20 мА и 20 В. Увеличивая входное напряжение от 0, измерить вольтметром напряжение UВЫХ на диоде и миллиамперметром ток IСД диода. Ток не должен превышать 20 мА. Установить при этом степень светоизлучения (отсутствует, слабое, среднее, сильное).

Затем в схеме рис.9 установить резистор RP1в крайнее нижнее положение, что обеспечит Uвх=0, изменить полярность подключения светодиода на обратную: минус светодиода подключить к плюсу источника питания и медленно увеличивая напряжение Uвых до двух вольт зафиксировать степень светоизлучения. Результаты занести в табл. 7.

Рисунок 9.

Таблица 7.

UВЫХ

IСД, мА

Светоизлучение

Прямое включение (плюс на плюс)

Отсутствует

Слабое

Среднее

Сильное Сильное

Обратное включение (минус на плюс)

Не более двух вольт

Отсутствует

5.  Содержание отчета. В отчете должно быть отражено:

а) наименование, цель работы и краткая теория, экспериментально проверяемая в работе;

б) электрические схемы проведенных экспериментов;

в) таблицы с результатами эксперимента;

г) экспериментальные характеристики в виде графиков полупроводниковых приборов;

д)выводы о свойствах исследованных полупроводниковых приборов.

6. Контрольные вопросы

1.  Какова полярность напряжения в нормальном режиме работы диода, стабилитрона, стабистора и светодиода?

2.  Какое подключение диода называют прямым а какое обратным?

3.  Какими основными параметрами характеризуются диод и стабилитрон, и светодиод?

4.  Что такое прямая и обратная ветвь ВАХ диода?

5.  Какую роль играет балластное сопротивление в схеме параметрического стабилизатора?

6.  Что такое коэффициент стабилизации, и каков его физический смысл?

7.  Почему светодиод нельзя включать в обратном направлении?

8.  Почему при питании светодиода от источника напряжения необходимо последовательно с ним включать резистор.

Работа № 3-2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

1.  Цель работы

Ознакомиться с работой и основными характеристиками биполярного транзистора,

2.  Описание лабораторного модуля

В лабораторной работе изучаются характеристики биполярного транзистора типа КТ815Б. Основные параметры транзистора приведены в табл. 3.2.1

Таблица 3.2.1

Тип транзистора

КТ815Б

КТ815Г

Вид проводимости

NPN

NPN

Максимально допустимый ток коллектора Iк мах, А

1,5

1,5

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ макс, В

50

100

Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе Рк мах, Вт

10

10

Статический коэффициент передачи тока h21

>40

>30

Максимальное напряжение эмиттер-база (обратное) Uэ6 мах, В

5

5

Ток базы Iб=0,05 мА

Конструкция корпуса- пластмасса с жесткими выводами

Габариты:

7,8*10,8*2,8 мм

Обозначение транзисторов в электрических схемах

Передняя панель лабораторного модуля представлена на рис. 3.2.1. На ней изображена мнемосхема исследуемых цепей, на которой установлены гнезда для подключения измерительных приборов и соединительных проводников.

3.  Теоретические положения. Принцип действия.

Работу транзистора можно представить себе на примере водопроводной сети.
Один электрод (аналог эмиттера транзистора) — подводящая воду труба, второй электрод (коллектор) — отводящая труба, а вместо третьего управляющего электрода (базы) транзистора–маховичёк крана и рука человека. Таким образом слабым сигналом на входе (детской рукой) управляют мощным потоком воды (аналог электрического тока коллектора) в трубе.

Транзи́стор— трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление тока в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного тока (в биполярном транзисторе), либо входного напряжения (в МОП-транзисторе). Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.), где доминируют биполярные транзисторы. Другим важнейшим применением транзисторов является цифровая техника (логика, память, счетчики, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.). Вся современная цифровая техника основана на МОП (металл-оксид-полупроводник) транзисторах.

Биполярный транзистор состоит из двух последовательно соединенных PN переходов, образованными тремя полупроводниковыми областями, так, что крайние имеют одинаковую проводимость. При этом возможны два варианта: транзисторы прямой

PNP и обратной NPN проводимости.

Исследуемый в работе транзистор КТ815Б — это транзистор обратной проводимости. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния с разным механизмом проводимости, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

Наташа

Автор

Наташа — контент-маркетолог и блогер, но все это не мешает ей оставаться адекватным человеком. Верит во все цвета радуги и не верит в теорию всемирного заговора. Увлекается «нефрохиромантией» и тайно мечтает воссоздать дома Александрийскую библиотеку.

Другие статьи


Похожая информация


Распродажа дипломных

Скидка 30% по промокоду Diplom2020

А ты боишься COVID-19?

Пройди опрос и получи промокод