Вопросы по теме «устройства на пав»
ФМЭЛ
Вопросы по теме «Устройства на ПАВ»
1. Укажите особенности поверхностных акустических волн.
2. Какие материалы применяются для изготовления устройств на ПАВ?
3. Изобразите встречно- штыревой преобразователь и укажите параметры, которые его характеризуют.
4. Чем определяется частота акустического синхронизма?
5. Из каких условий избирается количество электродов ВШП?
6. Какую конструкцию имеет линия задержки на ПАВ?
7. Изобразите сигнал на выходе ЛЗ на ПАВ при различных длительностях сигнала на входе. Объясните причины появления паразитных сигналов и меры борьбы с ними.
8. Что такое аподизованый преобразователь?
9. Приведите топологию полосового фильтра на ПАВ с прямоугольной АЧХ.
10. Охарактеризуйте принцип действия, топологию и применение отражательных структур на ПАВ.
11. Охарактеризуйте принцип действия, топологию и применение многополоскового ответвителя (МПО).
12. Изобразите импульсный отклик фильтра с прямоугольной АЧХ.
13. Какие паразитные эффекты сопутствуют работе устройств на ПАВ? Как их устраняют?
14. Какие конструкции используются для узкополосных фильтров на ПАВ?
15. Что такое дисперсионная линия задержки на ПАВ? Приведите ее топологию, импульсный отклик, основные электрические параметры и области применения.
16. Укажите области эффективного применения устройств на ПАВ.
17. Какая топология простейшего фильтра на ПАВ?
18. Какие параметры характеризуют АЧХ полосового фильтра?
19. Какие топологические параметры ПАВ-фильтра определяют полосу пропускания?
20. Чем определяется неравномерность АЧХ в пределах полосы пропускания фильтра?
21. Какие факторы влияют на затухание сигнала при прохождении через ПАВ-фильтр?
22. Каковы основные способы повышения частотной избирательности ПАВ — фильтра?
23. Как регулируется огибающая АЧХ фильтра?
24. Каковы топологические параметры ПАВ-фильтра?
25. Как влияет материал звукопровода на топологические параметры фильтра?
26. Каковы особенности технологического маршрута изготовления ПАВ-фильтров?
27. Какие недостатки простейшего фильтра на ПАВ?
28. Какие принципы положены в основу синтеза фильтров на ПАВ?
29. Какое назначение весовых функций?
30. Что такое аподизованый преобразователь?
31. Приведите топологию полосового фильтра на ПАВ с прямоугольной АЧХ.
32. Изобразите импульсный отклик фильтра с прямоугольной АЧХ.
33. Охарактеризуйте принцип действия, топологию и применение многополоскового ответвителя (МПО).
34. Какие конструкции используются для узкополосных фильтров на ПАВ?
35. Поясните принцип действия резонатора на ПАВ.
36. Охарактеризуйте эквивалентную схему резонатора.
37. Укажите области эффективного применения устройств на ПАВ.
38. Чем определяется средняя частота ОР и резонансная частота резонатора?
39. От каких факторов зависит число электродов ОР?
40. От каких факторов зависит добротность резонатора?
41. В каком диапазоне частот функционируют резонаторы на ПАВ?
42. Какие существуют конструкции резонаторов на ПАВ?
43. Охарактеризуйте дифракционные искажения и меры по их уменьшению.
44. Как уменьшают паразитную емкостную связь между входным и выходным ВШП?
45. Охарактеризуйте влияние объемных волн и меры по их уменьшению.
46. Охарактеризуйте способы уменьшения уровня ПАВ, отраженных от краев звукопровода.
47. Какие причины неоднородности амплитудных и фазовых фронтов ПАВ? Какие способы их уменьшения?
48. Охарактеризуйте нелинейные эффекты в средах распространения ПАВ.
49. Поясните принцип действия акустического конвольвера.
50. Конвольвер со сжатием ширины пучка
Вопросы к АКР2 по дисциплине ФМЭ
51. МОП – структура
52. Распределение напряжения в МДП – структуре в разные моменты времени
53. Распределение поверхностного потенциала в МДП — структуре в зависимости от величины зарядового пакета
54. Поверхностный потенциал
55. Потенциальная яма
56. Максимальный заряд электронов в инверсном слое
57. Гидродинамическая модель элементарной ячейки ПЗС
58. Зависимость поверхностного потенциала от величины зарядового пакета
59. ПЗС с трехфазной системой управления
60. Конструкция ПЗС
61. Профиль обедненной зоны под затворами в зависимости от режима
62. Режим перемещения заряда в ПЗС
63. Распределение поверхностного потенциала при разных фазах управляющего напряжения
64. Ввод зарядовых пакетов
65. Устройство вывода зарядовых пакетов
66. Параметры элементов ПЗС
67. Допустимое время хранения заряда
68. Неэффективность переноса
69. Максимальная тактовая частота
70. Зависимость коэффициента потерь от тактовой частоты
71. ПЗС с двухфазной системой управления
72. Структура двухтактного ПЗС с металлическими и поликремниевыми затворами
73. Структура двухтактного ПЗС с ионным легированием
74. ПЗС с объемным каналом переноса
75. Структура ПЗС с объемным каналом переноса
76. Распределение потенциала по глубине ПЗС с объемным каналом переноса
77. Шумы и помехи в ПЗС
78. Ячейки фоточувствительных ПЗС
79. Параметры фоточувствительных ячеек ПЗС
80. Фотоприемные приборы с зарядовой связью (ФПЗС);
81. ФПЗС со считывающим регистром
82. Схема организации считывания информации в билинейной фоточувствительной схеме
83. Фотоприемные приборы с зарядовой инжекцией (ФПЗИ).
84. Структурная схема ФПЗИ
85. Метод параллельной инжекции
86. Метод последовательной инжекции
87. Устройства памяти на ПЗС
88. Оперативные запоминающие устройства на ПЗС с серпантинной организацией
89. Петлевая организация ОЗУ
90. Параллельно-последовательная организация ОЗУ
91. Аналоговые линии задержки на ПЗС
92. Фильтры на ПЗС
93. Типы фильтров, реализуемых на ПЗС
94. Схема простейшего трансверсального фильтра на ПЗС
95. Фильтр на ПЗС с разрезными электродами для взвешивания
96. Что представляет собой функциональная магнитоэлектроника?
97. Какие динамические неоднородности применяются в магнитоэлектронике?
98. Охарактеризуйте материалы, на основе которых реализуются устройства на ЦМД.
99. Цилиндрические магнитные домены и их свойства
100. Способы получения
101. Перемещение ЦМД
102. Магнитостатические ловушка
103. Что такое доменная граница, и какие разновидности их существуют?
104. Поясните процессы, происходящие в предварительно намагниченных пленках ферритов, обладающих сильной одноосной перпендикулярной анизотропией, при изменении внешнего магнитного поля.
105. Какие условия необходимы для образования ЦМД в конкретном месте?
106. Поясните процесс образования ЦМД с помощью петли проводника.
107. От чего зависит скорость перемещения ЦМД?
108. Какие факторы определяют размеры ЦМД и минимальное расстояние между ними?
109. Чем обеспечивается фиксация положения ЦМД в требуемом месте?
110. Генератор ЦМД на основе токовой петли из металлической пленки
111. Распределение напряженности магнитного поля в магнитной аппликации
112. Токовые аппликации для фиксации и перемещения ЦМД
113. Регистры для перемещения ЦМД
114. Устройство ввода ЦМД
115. Устройства вывода ЦМД
116. Конструкция микросхемы ЗУ на ЦМД
117. ВБЛ
118. Регистр на основе полосового домена
119. Операция записи ВБЛ
120. Операция считывания ВБЛ
121. Устройства обработки сигналов на МСВ
122. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
123. Назовите материалы, в которых возможно образование ЦМД.
124. Структура кристалла микросхемы ЗУ на ЦМД и микросхема ЗУ на ЦМД
Вопросы ФМЭ АКР 3
1. Какие континуальные среды молекулярной электроники вы знаете?
2. Какие динамические неоднородности используются в молекулярной электронике?
3. Что такое тонкопленочные системы Лэнгмюра-Блоджетт?
4. Что такое солитон, и какими свойствами он обладает?
5. Приведите схему теплового процессора.
6. Что такое приборы функциональной электроники второго поколения?
7. Что такое автоволны?
8. Как сформировать ЗУ на принципах теплоэлектроники?
9. Какие особенности имеют молекулярные системы, предназначенные для обработки информации?
10. Какие динамические неоднородности тепловой природы вы знаете?
11. Что такое приборы функциональной электроники второго поколения?
12. Из каких компонентов состоит молекулярная ЭВМ?
13. Что такое функциональная теплоэлектроника?