Экспериментальные данные определения вах диода
Таблица 4. Экспериментальные данные определения ВАХ диода
Прямая ветвь, рис.5 |
Обратная ветвь, рис.6 |
||
Прямой ток, Iпр, мА |
Прямое напряжение, Uпр, В |
Обратный ток, Iобр, мкА |
Обратное напряжение, Uобр, В |
— |
— |
||
— |
— |
Для экспериментального определения обратной ветви ВАХ собрать схему по рис. 6 на которой изменена полярность подключения диода, а резистор Rн остается закороченным. Переключить пределы измерения мультиметров установить на 2 мА и 20 В.
Рисунок 6. Определение обратной ветви ВАХ диода
Подать на клеммы «+,-» напряжение 12 В. Уменьшая сопротивлением RP1 напряжение Uвх до нуля определить по показаниям приборов три точки обратной ветви ВАХ. Результаты занести в таблицу 4.
4.2. Исследование стабилитрона
4.2.1. Собрать цепь по рисунку 7. Увеличивая резистором RP1 входное напряжение Uвх от 0 до 12 В, измерить ток 1ст и напряжение Uст =Uн стабилитрона в нескольких точках с помощью мультиметров и результаты занести в табл.5. Построить график зависимости выходного напряжения UCT от тока Iст.
Рисунок 7.
Таблица 5.
Uст= Uн, В |
||||
1ст, мА |
4.2.2. Собрать цепь по рис. 8. Установив величину входного напряжения 12 В, изменяя величину тока нагрузки с помощью потенциометра Rн, измерить величину выходного напряжения Uн и тока нагрузки Iн. Результаты занести в табл. 6. Построить график их зависимости.
Рисунок 8.
Таблица 6.
Iн, мА |
||||
Uн, В |
4.3. Исследование влияния величины и полярности напряжения на светоизлучающем диоде на световую эмиссию.
Собрать схему по рис.9. В качестве измерительных приборов использовать мультиметры с пределами измерения 20 мА и 20 В. Увеличивая входное напряжение от 0, измерить вольтметром напряжение UВЫХ на диоде и миллиамперметром ток IСД диода. Ток не должен превышать 20 мА. Установить при этом степень светоизлучения (отсутствует, слабое, среднее, сильное).
Затем в схеме рис.9 установить резистор RP1в крайнее нижнее положение, что обеспечит Uвх=0, изменить полярность подключения светодиода на обратную: минус светодиода подключить к плюсу источника питания и медленно увеличивая напряжение Uвых до двух вольт зафиксировать степень светоизлучения. Результаты занести в табл. 7.
Рисунок 9.
Таблица 7.
UВЫХ ,В |
IСД, мА |
Светоизлучение |
Прямое включение (плюс на плюс) |
||
Отсутствует |
||
Слабое |
||
Среднее |
||
Сильное Сильное |
||
Обратное включение (минус на плюс) |
||
Не более двух вольт |
Отсутствует |
|
5. Содержание отчета. В отчете должно быть отражено:
а) наименование, цель работы и краткая теория, экспериментально проверяемая в работе;
б) электрические схемы проведенных экспериментов;
в) таблицы с результатами эксперимента;
г) экспериментальные характеристики в виде графиков полупроводниковых приборов;
д)выводы о свойствах исследованных полупроводниковых приборов.
6. Контрольные вопросы
1. Какова полярность напряжения в нормальном режиме работы диода, стабилитрона, стабистора и светодиода?
2. Какое подключение диода называют прямым а какое обратным?
3. Какими основными параметрами характеризуются диод и стабилитрон, и светодиод?
4. Что такое прямая и обратная ветвь ВАХ диода?
5. Какую роль играет балластное сопротивление в схеме параметрического стабилизатора?
6. Что такое коэффициент стабилизации, и каков его физический смысл?
7. Почему светодиод нельзя включать в обратном направлении?
8. Почему при питании светодиода от источника напряжения необходимо последовательно с ним включать резистор.
Работа № 3-2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
1. Цель работы
Ознакомиться с работой и основными характеристиками биполярного транзистора,
2. Описание лабораторного модуля
В лабораторной работе изучаются характеристики биполярного транзистора типа КТ815Б. Основные параметры транзистора приведены в табл. 3.2.1
Таблица 3.2.1
Тип транзистора |
КТ815Б |
КТ815Г |
Вид проводимости |
NPN |
NPN |
Максимально допустимый ток коллектора Iк мах, А |
1,5 |
1,5 |
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ макс, В |
50 |
100 |
Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе Рк мах, Вт |
10 |
10 |
Статический коэффициент передачи тока h21 |
>40 |
>30 |
Максимальное напряжение эмиттер-база (обратное) Uэ6 мах, В |
5 |
5 |
Ток базы Iб=0,05 мА |
||
Конструкция корпуса- пластмасса с жесткими выводами |
Габариты: 7,8*10,8*2,8 мм |
|
Обозначение транзисторов в электрических схемах |
||
Передняя панель лабораторного модуля представлена на рис. 3.2.1. На ней изображена мнемосхема исследуемых цепей, на которой установлены гнезда для подключения измерительных приборов и соединительных проводников.
3. Теоретические положения. Принцип действия.
Работу транзистора можно представить себе на примере водопроводной сети.
Один электрод (аналог эмиттера транзистора) — подводящая воду труба, второй электрод (коллектор) — отводящая труба, а вместо третьего управляющего электрода (базы) транзистора–маховичёк крана и рука человека. Таким образом слабым сигналом на входе (детской рукой) управляют мощным потоком воды (аналог электрического тока коллектора) в трубе.
Транзи́стор— трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление тока в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного тока (в биполярном транзисторе), либо входного напряжения (в МОП-транзисторе). Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.), где доминируют биполярные транзисторы. Другим важнейшим применением транзисторов является цифровая техника (логика, память, счетчики, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.). Вся современная цифровая техника основана на МОП (металл-оксид-полупроводник) транзисторах.
Биполярный транзистор состоит из двух последовательно соединенных PN переходов, образованными тремя полупроводниковыми областями, так, что крайние имеют одинаковую проводимость. При этом возможны два варианта: транзисторы прямой
PNP и обратной NPN проводимости.
Исследуемый в работе транзистор КТ815Б — это транзистор обратной проводимости. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния с разным механизмом проводимости, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).