Классификация интегральных схем
Классификация интегральных схем
По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делят на три группы : полупроводниковые, пленочные и гибридные.
Классификация ИС по уровням интеграции.
Уровень интеграции |
Число элементов в одной микросхеме |
||
Цифровые на МДП-транзисторах |
Цифровые на биполярных транзисторах |
Аналоговые микросхемы |
|
МИС |
≤100 |
≤100 |
≤30 |
СИС |
>100 ≤1000 |
>100≤500 |
>30≤100 |
БИС |
>1000≤10000 |
>500≤2000 |
>100≤300 |
СБИС |
>10000 |
>2000 |
>300 |
Диффузионные конденсаторы (ДК)
Варианты формирования интегральных конденсаторов на основе переходов.
С1 – коллектор – подложка; С2 – база коллектор; С3 – эмиттер-база.
МДП – конденсаторы.
Тонкопленочные МДП-конденсаторы
Функционально-интегрированные элементы БИС.
Конструктивно-технологические варианты изоляции
элементов микросхем друг от друга
Изоляция обратно-смещенными — переходами.
Изоляция диэлектриком
Комбинированная изоляция
Параметры транзисторов с изоляцией — переходами и комбинированной.
параметр |
Планарно-эпитаксиальный транзистор с — переходом |
Транзистор с комбинированной изоляцией и диэлектр. стенками |
Площадь, мкм2 |
1500 |
500 |
С база-эмиттер, пФ |
0,10 |
0,07 |
С база-коллектор, пФ |
0,12 |
0,05 |
С коллектор-подложка, пФ |
0,52 |
0,13 |
Последовательное сопротивление базы, Ом |
250 |
800 |
, Ом |
6 |
9 |
, Ом |
40 |
20 |
Предельная частота , гГц |
1,0 |
3…5 |
Варианты конструкций элементов БИС и СБИС
с применением поликристаллического кремния
Резисторы на основе
Контакты к кремнию.
Конструктивно-технологические особенности и варианты
интегральных биполярных транзисторов, выполненных
по планарно-эпитаксиальной технологии.
Транзисторы типа
;
Величину можно записать в следующем виде:
: , где — время жизни неосновных носителей в базовой
Коэффициент усиления В уменьшается с понижением температуры. Это связано с уменьшением времени жизни неосновных носителей
(для )
(максимальная частота генерации, при которой усиление по мощности падает до единицы) = , где —
Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ)
Многоколлекторные транзисторы (МКТ)
Транзисторы типа
Составные транзисторы
Конструкции интегральных диодов
Таблица параметров интегральных диодов
Параметры |
Вариант включения |
бк-э |
бэ-к Рефераты по физике сдают здесьМГМИМО БГУ ГродноГу Другие статьиПохожая информацияУзнать стоимость за 15 минутРаспродажа дипломныхСкидка 30% по промокоду Diplom2020 Подпишись на наш паблик в ВКНужна работа?Написать дипломную работу у наших партнеров |