ВУЗы по физике Готовые работы по физике Как писать работы по физике Примеры решения задач по физике Решить задачу по физике онлайн

Классификация интегральных схем


Классификация интегральных схем

По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делят на три группы : полупроводниковые, пленочные и гибридные.

Классификация ИС по уровням интеграции.

Уровень интеграции

Число элементов в одной микросхеме

Цифровые на МДП-транзисторах

Цифровые на биполярных транзисторах

Аналоговые микросхемы

МИС

≤100

≤100

≤30

СИС

>100 ≤1000

>100≤500

>30≤100

БИС

>1000≤10000

>500≤2000

>100≤300

СБИС

>10000

>2000

>300

Диффузионные конденсаторы (ДК)

Варианты формирования интегральных конденсаторов на основе переходов.

С1 – коллектор – подложка; С2 – база коллектор; С3 – эмиттер-база.

МДП – конденсаторы.

Тонкопленочные МДП-конденсаторы

Функционально-интегрированные элементы БИС.

Конструктивно-технологические варианты изоляции

элементов микросхем друг от друга

Изоляция обратно-смещенными — переходами.

Изоляция диэлектриком

Комбинированная изоляция

Параметры транзисторов с изоляцией — переходами и комбинированной.

параметр

Планарно-эпитаксиальный транзистор с — переходом

Транзистор с комбинированной изоляцией и диэлектр. стенками

Площадь, мкм2

1500

500

С база-эмиттер, пФ

0,10

0,07

С база-коллектор, пФ

0,12

0,05

С коллектор-подложка, пФ

0,52

0,13

Последовательное сопротивление базы, Ом

250

800

, Ом

6

9

, Ом

40

20

Предельная частота , гГц

1,0

3…5

Варианты конструкций элементов БИС и СБИС

с применением поликристаллического кремния

Резисторы на основе

Контакты к кремнию.

Конструктивно-технологические особенности и варианты

интегральных биполярных транзисторов, выполненных

по планарно-эпитаксиальной технологии.

Транзисторы типа

;

Величину можно записать в следующем виде:

: , где — время жизни неосновных носителей в базовой

Коэффициент усиления В уменьшается с понижением температуры. Это связано с уменьшением времени жизни неосновных носителей

(для )

(максимальная частота генерации, при которой усиление по мощности падает до единицы) = , где

Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ)

Многоколлекторные транзисторы (МКТ)

Транзисторы типа

Составные транзисторы

Конструкции интегральных диодов

Таблица параметров интегральных диодов

Параметры

Вариант включения

бк-э

бэ-к

Наташа

Автор

Наташа — контент-маркетолог и блогер, но все это не мешает ей оставаться адекватным человеком. Верит во все цвета радуги и не верит в теорию всемирного заговора. Увлекается «нефрохиромантией» и тайно мечтает воссоздать дома Александрийскую библиотеку.

Другие статьи


Распродажа дипломных

Скидка 30% по промокоду Diplom2020

А ты боишься COVID-19?

Пройди опрос и получи промокод