| Туннельный диод

Стабилитроны сконструированы таким образом, что работает в режиме эл. пробоя.

Рабочей характеристикой стабилитрона является обратная ветвь вольт амперной характеристики.

15.Туннельный диод.

Это полупроводниковый прибор в котором используется явление туннельного пробоя в прямом направлении.

Для изготовления туннельного диода применяются полупроводники

С содержанием примесных атомов в 10 тыс. раз выше, чем в полупроводниковых обычных диодов.

Полупроводники с такой концентрацией примеси превращается в полуметаллы и называются вырожденными. Туннельный эффект заключается в том, что ток через p-n-переход начинает проходить при напряжении значительно меньшим необходимого для совершения работы выхода электронов.

При приложении напряжении к диоду в прямом направлении ток растет, а затем достигнув максимального значения при U1 начинает резко убывать.

Объясняется резкое снижение тока, тем что с роста U уменьшается число электронов способных совершить туннельный переход, при значении U2 таких электронов не остается и туннельный ток прекращается, при дальнейшем увеличении напряжения прохождение прямого тока, такое же как у обычного диода.

Туннельные диоды используются в качестве элемента генератора пилообразного напряжения

16.Биполярный транзистор. Принцип действия.

Биполярный транзистор— это полупроводниковый прибор имеющий два взаимодействующих между собой p-n перехода, основной элемент транзистора (монокристаллы, германий, кремний) в котором созданы три слоя различной проводимости при чем крайние слои имеют одинаковую проводимость, а средний разделяющий их слой противоположный. Один из крайних слоев называется эмиттером, другой коллектором, а средний разделяющий их слой, база.

Биполярный транзистор позволяет осуществлять усиление или генерирование электрических сигналов и имеет 3, или более выводов.

17.Схемы включения биполярных транзисторов.

Tranzistor.jpg (392×202)

18.Режимы работы транзисторов. Напряжение от внешних источников к P-n переходам транзистора, на базу транзистора подается сигнал подлежащий преобразования, в связи с этим различный вход цепь в которую подает сигнал и выход цепь с которой снимают преобразований сигнал.
В зависимости от полярности напряжения приложенному к эмиттерному и коллекторному переходам, различают следующим режимы работы транзистора

19.Усилительные свойства транзисторов.
Коэф. усил. транзистора по напр. и мощности в основном зависят от соотношения между сопротивлением нагрузки и сопротивлением эмиттера по этому полупроводниковые транзисторы назваются преобразователями сопротивлением.

20.Основные характеристики биполярного транзистора.

1)Статистические характеристики – отражают зависимость между токами и напряжениями во входной и выходной цепях транзистора.

2) Входные характеристики – представляют собой входной ток от напряжения Iвх=f(Uвх) при Uвых=const

3) Выходные характеристики – это зависимость тока выхода от напряжения выхода Iвых=f(Uвых) при Iвх=const

Входные и выходные характеристики служат для графического расчета параметров усиленного сигнала.

21.Полевой транзистор: определение, типы полевых транзисторов.

Полевым транзистором называется активные полупроводниковые приборы в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в отличие от биполярного транзистора, где выходной ток управляет входным током)

Типы полевых транзисторов:

1) С управляющим p-n переходом.

2) С изолированным затвором.

22.Полевой транзистор с управляющим p—n-переходом.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет одну небольшую область одного типа проводимости и гораздо большую область другого типа проводимости, которая называется каналом.

Если подать между затвором истоком положительное напряжение, оно сместит p-n переход в обратном направлении, p-n переход расширится и перекроет собою часть канала, создав для токоносителей зарядов сопротивление, что приведет к уменьшению величины тока между истоком и стоком.

Недостаток полевых транзисторов с управляющим p-n переходом в том, что он реагирует только на обратное напряжение поданное на p-n переход.

23.Полевой транзистор с изолированным затвором: с встроенным каналом и с индуцированным каналом.

Транзисторы с изолированным затвором делятся на транзисторы у которых затвор от канала отделен диэлектриком МДП – транзистор и у которых затвор от канала отделен МОП- транзистором.

Транзистор с изолированным затвором может быть либо со встроенным каналом, либо с индуциронным каналом.

Транзистор с встроенным каналом работает следующим образом, при подаче положительного напряжения на затвор, то положительный потенциал будет выталкивать дырки из канала уменьшая его проводимость, а следовательно и величину тока стока. Такой режим называется режимом «обеднения».

Если подать на затвор отрицательный потенциал, то дырки будут втягиваться в канал увеличивая его проводимость, при этом ток стока возрастает. Такой режим называют режимом «обогащения».

У транзистора с индуцированным каналом встроенный канал отсутствует, ток между истоком и стоком без канала протекать не может, для создания этого канала и управляющим током проходит через этот канал, на затвор необходимо падать отрицательный потенциал, тогда поверхностный слой полупроводника обогатится дырками и создает индуцированный эл. полем канал проводимости, по которому будет протекать ток, если на затвор будет подан положительный потенциал, то поверхностный слой полупроводника обогатится электронами, не образуя токопроводящего канала.

24.Тиристор: принцип действия и виды тиристоров.

Тиристор – это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы «вкл» и «выкл», он имеет 3 и более p-n переходов.

Виды тиристоров:

—Динистор

—Тринистер

—Синистер

При подаче «+» на анод, а «-« на катод, p-n переходы pn1 и pn2 находятся в пропускающем состоянии, переход pn2 в запертом состоянии. С ростом прямого напряжения конц. неосновного носителя в области n1 и p1 увеличивается.

25.Основные параметры тиристоров.

1) Напряжение включения

2) Ток включения

3) Ток управления – это наименьший ток в цепи управления, при котором тиристор переходит из закрытого состояния в открытое.

26.Динистор: принцип действия, вольтамперная характеристика.

Динистор – двухэлектродный прибор диодного типа имеющий 3 p-n перехода, крайняя область (p) называется анодом, а крайняя область (n) называется катодом.

При подаче «+» на анод, а «-« на катод, p-n переходы pn1 и pn2 находятся в пропускающем состоянии, переход pn2 в запертом состоянии. С ростом прямого напряжения конц. неосновного носителя в области n1 и p1 увеличивается.

27.Тринистор: принцип действия, назначение.

28.Электронные усилители. Классификация.

Усилитель – это устройство преобразующее эл. колебания небольшой мощности поступающих на вход устройства в эл. колебания большой мощности на выходе.

В качестве усилительных элементов в усилителях используют: транзисторы, туннельные диоды, тиристоры.

Классификация:

— по виду усиливаемых сигналов усилители делятся на: усилитель гармоничных сигналов и усилитель импульсных сигналов.

— по диапазону усиливаемых частот:

Усилители подразделяются на:

Низкочастотные (работают на частоте от 20 Гц до 20кГц)

Высокочастотные (работают в диапазоне 100 кГц и выше)

Широкополосные ( работают в очень широком диапазоне частот, радиолокация)

Полосовые или избирательные ( работают в узкой полосе частот)

По назначению усилители делятся на:

Усилители напряжения тока

Усилители напряжения мощности

По связям между каскадами усилители делятся на:

1) Усилитель с трансформаторными связями

2) Усилитель с резонансными связями.

29. Обратная связь в электронных схемах.

30.Операционные усилители. Назначение и принцип действия.

31.Импульсный сигнал. Виды и формы импульсных сигналов.

Импульсный сигнал может состоять из одного или серии импульсов.

Различают два вида импульсных сигналов:

1) Видео импульс – представляет собой кратковременное изменение напряжения или тока в цепи постоянного тока.